BSM50GB120DN2HOSA1 Scheda dati
Specifiche per BSM50GB120DN2HOSA1
Numero parte : BSM50GB120DN2HOSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configurazione : Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 78A
Potenza - Max : 400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) : 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
Ingresso : Standard
Termistore NTC : No
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Module
Pacchetto dispositivo fornitore : Module
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9928 pezzi
Prezzo di riferimento
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