BSC019N02KSGAUMA1 Scheda dati
Specifiche per BSC019N02KSGAUMA1
Numero parte : BSC019N02KSGAUMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13000pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
469210 pezzi
Prezzo di riferimento
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