AUIRF7342Q Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

Specifiche per AUIRF7342Q

Numero parte : AUIRF7342Q

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 690pF @ 25V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

AUIRF7342Q

Numero parte interna

AX-AUIRF7342Q

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32627 pezzi

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