APTMC120HRM40CT3AG Scheda dati
Specifiche per APTMC120HRM40CT3AG
Numero parte : APTMC120HRM40CT3AG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : POWER MODULE - SIC MOSFET
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 12.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 161nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2788pF @ 1000V
Potenza - Max : 375W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Module
Pacchetto dispositivo fornitore : SP3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
POWER MODULE - SIC MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
29351 pezzi
Prezzo di riferimento
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