APTM50DDA10T3G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Specifiche per APTM50DDA10T3G

Numero parte : APTM50DDA10T3G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 37A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4367pF @ 25V

Potenza - Max : 312W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP3

Pacchetto dispositivo fornitore : SP3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

APTM50DDA10T3G

Numero parte interna

AX-APTM50DDA10T3G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16944 pezzi

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