APTM120H57FT3G Scheda dati
Specifiche per APTM120H57FT3G
Numero parte : APTM120H57FT3G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 187nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5155pF @ 25V
Potenza - Max : 390W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP3
Pacchetto dispositivo fornitore : SP3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27132 pezzi
Prezzo di riferimento
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