APTM120H29FG Scheda dati
Specifiche per APTM120H29FG
Numero parte : APTM120H29FG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Serie : POWER MOS 7®
Stato parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Potenza - Max : 780W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP6
Pacchetto dispositivo fornitore : SP6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-APTM120H29FG
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9334 pezzi
Prezzo di riferimento
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