APTM100DU18TG Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Specifiche per APTM100DU18TG

Numero parte : APTM100DU18TG

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 43A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 372nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10400pF @ 25V

Potenza - Max : 780W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP4

Pacchetto dispositivo fornitore : SP4

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

APTM100DU18TG

Numero parte interna

AX-APTM100DU18TG

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27090 pezzi

Prezzo di riferimento

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APTM100DU18TG Scheda dati

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