APTM100DDA35T3G Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Specifiche per APTM100DDA35T3G

Numero parte : APTM100DDA35T3G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V

Potenza - Max : 390W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP3

Pacchetto dispositivo fornitore : SP3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

APTM100DDA35T3G

Numero parte interna

AX-APTM100DDA35T3G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27090 pezzi

Prezzo di riferimento

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