APTGLQ25H120T2G Scheda dati
Specifiche per APTGLQ25H120T2G
Numero parte : APTGLQ25H120T2G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : POWER MODULE - IGBT
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configurazione : Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 50A
Potenza - Max : 165W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.42V @ 15V, 25A
Corrente - Limite del collettore (max) : 50µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 1.43nF @ 25V
Ingresso : Standard
Termistore NTC : Yes
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Module
Pacchetto dispositivo fornitore : SP2
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
POWER MODULE - IGBT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
18672 pezzi
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