APTC80H15T1G Scheda dati
Specifiche per APTC80H15T1G
Numero parte : APTC80H15T1G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4507pF @ 25V
Potenza - Max : 277W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP1
Pacchetto dispositivo fornitore : SP1
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-APTC80H15T1G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
17040 pezzi
Prezzo di riferimento
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