APT80M60J Scheda dati
Specifiche per APT80M60J
Numero parte : APT80M60J
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Serie : POWER MOS 8™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 84A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 600nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 24000pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 960W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : ISOTOP®
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-APT80M60J
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
15608 pezzi
Prezzo di riferimento
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