APT6017B2LLG Scheda dati
Specifiche per APT6017B2LLG
Numero parte : APT6017B2LLG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Serie : POWER MOS 7®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 500W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso : TO-247-3 Variant
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-APT6017B2LLG
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9370 pezzi
Prezzo di riferimento
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