Specifiche per AO4441L_001

Numero parte : AO4441L_001
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1120pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
22806 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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