ALD212908APAL Scheda dati
Specifiche per ALD212908APAL
Numero parte : ALD212908APAL
fabbricante : Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Serie : EPAD®, Zero Threshold™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 500mW
temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDIP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
82045 pezzi
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