A2T18H455W23NR6 Scheda dati
Specifiche per A2T18H455W23NR6
Numero parte : A2T18H455W23NR6
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : LDMOS
Frequenza : 1.805GHz ~ 1.88GHz
Guadagno : 14.5dB
Tensione - Test : 31.5V
Valutazione attuale : 10µA
Figura di rumore : -
Corrente - Test : 1.08A
Potenza - Uscita : 56dBm
Tensione: nominale : 65V
Pacchetto / caso : OM-1230-4L2S
Pacchetto dispositivo fornitore : OM-1230-4L2S
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5384 pezzi
Prezzo di riferimento
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