2SK3666-2-TB-E Scheda dati
Specifiche per 2SK3666-2-TB-E
Numero parte : 2SK3666-2-TB-E
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : JFET NCH 30V 200MW 3CP
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) : -
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 600µA @ 10V
Scarico corrente (Id) - max : 10mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id : 180mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4pF @ 10V
Resistenza - RDS (On) : 200 Ohms
Potenza - Max : 200mW
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore : 3-CP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
JFET NCH 30V 200MW 3CP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5403985 pezzi
Prezzo di riferimento
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