2SJ665-DL-E Scheda dati
Specifiche per 2SJ665-DL-E
Numero parte : 2SJ665-DL-E
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SMP-FD
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-2SJ665-DL-E
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
13096 pezzi
Prezzo di riferimento
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