2SJ661-1E Scarica la scheda tecnica in PDF - MOSFET P-CH 60V 38A

Specifiche per 2SJ661-1E

Numero parte : 2SJ661-1E

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 38A

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 38A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4360pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262-3

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

codice articolo del costruttore

2SJ661-1E

Numero parte interna

AX-2SJ661-1E

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 38A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

198130 pezzi

Prezzo di riferimento

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