Specifiche per 2N6661JTXL02

Numero parte : 2N6661JTXL02
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 90V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 860mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-39
Pacchetto / caso : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
52608 pezzi
Prezzo di riferimento
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