Specifiche per 2N5013

Numero parte : 2N5013
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : NPN SILICON TRANSISTOR
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Transistor Type : NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 800V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : -
Corrente - Limite del collettore (max) : 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 20mA, 10V
Potenza - Max : 1W
Frequenza - Transizione : -
temperatura di esercizio : -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-5
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
NPN SILICON TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
59520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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