1N8026-GA Scheda dati
Specifiche per 1N8026-GA
Numero parte : 1N8026-GA
fabbricante : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2.5A
Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : TO-257-3
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-257
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 250°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-1N8026-GA
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9368 pezzi
Prezzo di riferimento
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