1N5809US Scheda dati
Specifiche per 1N5809US
Numero parte : 1N5809US
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore : B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-1N5809US
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
49650 pezzi
Prezzo di riferimento
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